بطاقات ذاكرة جديدة من عملاق التكنولوجيا سامسونج

[HamzaMoatasim]

سامسونج (الشركة الرائدة في صناعة رقائق الذاكرة عالمياً) قد أعلنت عن إصدار أول مليون رقاقة ذاكرة بخصائص عشرة نانومتر DDR4 قد تم تصميمها باستخدام تقنية الألترا فولت؛ والتي من شأنها إعطاء المستخدم تحسن ملحوظ أثناء استخدام ذاكرة الوصول العشوائي الخاصة بأجهزتهم.
تقول شركة سامسونج عبر موقعها الالكتروني أنها قد أعلنت عن هذا النجاح وأنها بإنتاجها هذه الذاكرة (ذاكرة الوصول العشوائيDRAM) التي قد صممت على تقنية الألترا فولت EUV، كما أبزت مدى إلتزام الشركة بثورة الابتكار في عالم حلول بطاقات الذاكرةDRAM وعن دعم الشركة لعملائها في مجالات تاتكنولوجيا والمعلومات.
أضافت شركة سامسونج بأن هذه التقنية (تقنية EUV) ستكون الحاضرة في عمليات التصنيع للأجيال القادمة من بطاقات الذاكرةDRAM فب المستقبل بدايةً من الفئة المعلن عنها ضمن عشرة نانومتر D1a والفئة الأعلى منها فئة 14 نانومتر.
كما تتوقع الشركة عن بدء عملية الإنتاج الواسعة لبطاقات الذاكرة DDR5 و LPDDR5 خلال العام القادم وأنها ستقوم بمضاعفة حجم الإنتاج بالإضافة إلى تعزيز عمليا التعاون مع العملاء الذين قد وصفوهم برواد التكنولوجيا والمعلومات.

اضغط هنا للحصول على نقاط فيفا